[发明专利]氮化物半导体结构及半导体发光元件

摘要

本发明有关于一种氮化物半导体结构及半导体发光元件。该氮化物半导体结构包含一N型半导体层以及一P型半导体层，于N型半导体层与P型半导体层间配置有一发光层，发光层与P型半导体层间配置有一空穴提供层，空穴提供层为氮化铟镓In_xGa_1‑xN(0<x<1)，且空穴提供层掺杂有浓度为10¹⁷‑10²⁰cm^‑3的第四主族元素。该半导体发光元件于一基板上包含上述的氮化物半导体结构，以及二相配合地提供电能的N型电极与P型电极。通过掺杂第四主族元素可提高空穴浓度，并降低因Mg‑H键结所造成的不活化现象，使Mg活化而具有受体的有效作用，进而增加发光效率。

主权项

一种氮化物半导体结构，其包含一N型半导体层以及一P型半导体层，于所述N型半导体层与所述P型半导体层间配置有一发光层，所述发光层与所述P型半导体层间配置有一空穴提供层，所述空穴提供层紧邻所述发光层，且所述空穴提供层为氮化铟镓In_xGa_1‑xN，其中0<x<1，且所述空穴提供层掺杂有浓度为10¹⁷‑10²⁰cm^‑3的第四主族元素；所述空穴提供层与所述P型半导体层间配置有一P型载子阻隔层，且所述P型载子阻隔层由具有高于所述发光层的能隙的材料所制成；所述第四主族元素为碳；所述空穴提供层掺杂有浓度大于10¹⁸cm^‑3的P型掺质；所述P型掺质为镁。