[发明专利]射频低噪声放大器

摘要

本发明提供了射频低噪声放大器。该射频低噪声放大器采用了电流复用的技术，使两组分别由NMOS和PMOS组成的差分对共享静态偏置电流，从而在维持晶体管同样的电压-电流转换能力的基础上节约了静态偏置电流，从而减小了功耗。

主权项

一种射频低噪声放大器，其特征在于，包括：差分共栅电路和差分交叉耦合共栅电路，其中：差分共栅电路为主放大器，包括：第一MOS管和第二MOS管，其中：第一MOS管为NMOS管，其源端连接射频信号输入正端；其漏端连接至射频信号输出正端，并通过第一电阻连接至电压源正端；其栅端通过第五电阻连接至偏置电压第1端；第二MOS管为NMOS管，其源端连接射频信号输入负端；其漏端连接至射频信号输出负端，并通过第二电阻连接至电压源正端；其栅端通过第六电阻连接至偏置电压第1端；差分交叉耦合共栅电路，为增加主放大器跨导的辅助放大器，包括：第三MOS管、第四MOS管、第一电容和第二电容，其中：第三MOS管为PMOS管，其源端连接至射频信号输入正端，其漏端通过第三电阻连接至电压源负端，其栅端通过第七电阻连接至偏置电压第2端，并通过第一电容连接至第四MOS管的源端；第四MOS管是PMOS管，其源端连接至射频信号输入负端，其漏端通过第四电阻连接至电压源负端，其栅端通过第八电阻连接至偏置电压第2端，并通过第二电容连接至第三MOS管的源端。