[发明专利]基于金属纳米光栅的微偏振片阵列及其制备方法有效
| 申请号： | 201310030339.1 | 申请日： | 2013-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN103969840B | 公开（公告）日： | 2017-05-03 |
| 发明（设计）人： | 张青川;张志刚;赵旸;程腾;伍小平 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | G02B27/28 | 分类号： | G02B27/28;G02B5/30;G03F7/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了基于金属纳米光栅的单层微偏振片阵列及其制备方法。该单层微偏振片阵列包括高透光性的基底和基底上的金属纳米光栅，其中所述金属纳米光栅在所述基底上排列的方向并不完全相同，具有相同排列方向的相邻金属纳米线组成的光栅为一个微偏振片，每个微偏振片的尺寸与感光元件芯片的像素尺寸相同。本发明同时还公开了一种基于金属纳米光栅的单层微偏振片阵列的制备方法。本发明可以将不同偏振方向的微偏振片阵列集成到同一层中，解决了以往的基于多层金属光栅的微偏振片阵列对所需光透过率不高的问题，并简化了工艺流程，降低了制作成本。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 金属 纳米 光栅 偏振 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于金属纳米光栅的单层微偏振片阵列，其特征在于，该单层微偏振片阵列包括：高透光性的基底和基底上沉积的金属膜刻蚀而成的金属纳米光栅，其中：所述金属纳米光栅在所述基底上排列的方向为四种不同的方向，具有相同排列方向的相邻金属纳米线构成的光栅为一个微偏振片，每个微偏振片的尺寸与感光元件芯片的像素尺寸相同。
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