[发明专利]单层ITO的布线结构在审
申请号: | 201310030434.1 | 申请日: | 2013-01-28 |
公开(公告)号: | CN103092422A | 公开(公告)日: | 2013-05-08 |
发明(设计)人: | 何丽;樊永召;金莉 | 申请(专利权)人: | 苏州瀚瑞微电子有限公司 |
主分类号: | G06F3/041 | 分类号: | G06F3/041 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215163 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种单层ITO的布线结构,其包括若干个第一感应电极和第二感应电极,所述第一感应电极在行方向上对应相连,所述第二感应电极在列方向上对应相连,所述第二感应电极嵌套在所述第一感应电极内。本发明的单层ITO布线结构中,第二感应电极嵌套在第一感应电极内,感应面积大,感应更灵敏,线性度好。 | ||
搜索关键词: | 单层 ito 布线 结构 | ||
【主权项】:
一种单层ITO的布线结构,其包括若干个第一感应电极和第二感应电极,所述第一感应电极在行方向上对应相连,所述第二感应电极在列方向上对应相连,其特征在于:所述第二感应电极嵌套在所述第一感应电极内。
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