[发明专利]单层ITO的布线结构在审

专利信息
申请号: 201310030434.1 申请日: 2013-01-28
公开(公告)号: CN103092422A 公开(公告)日: 2013-05-08
发明(设计)人: 何丽;樊永召;金莉 申请(专利权)人: 苏州瀚瑞微电子有限公司
主分类号: G06F3/041 分类号: G06F3/041
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215163 江苏省苏州市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种单层ITO的布线结构,其包括若干个第一感应电极和第二感应电极,所述第一感应电极在行方向上对应相连,所述第二感应电极在列方向上对应相连,所述第二感应电极嵌套在所述第一感应电极内。本发明的单层ITO布线结构中,第二感应电极嵌套在第一感应电极内,感应面积大,感应更灵敏,线性度好。
搜索关键词: 单层 ito 布线 结构
【主权项】:
一种单层ITO的布线结构,其包括若干个第一感应电极和第二感应电极,所述第一感应电极在行方向上对应相连,所述第二感应电极在列方向上对应相连,其特征在于:所述第二感应电极嵌套在所述第一感应电极内。
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