[发明专利]鳍结构上的保护环有效
| 申请号： | 201310030493.9 | 申请日： | 2013-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN103715236A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 胡嘉欣;梁铭彰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种器件包括半导体衬底；延伸至半导体衬底中的隔离区；高于隔离区的顶面的多个半导体鳍；以及多个栅叠层。每一个栅叠层都包括位于多个半导体鳍中的一个半导体鳍的顶面和侧壁上的栅极介电层和位于栅极介电层上方的栅电极。该器件进一步包括多个半导体区，每一个半导体区都设置在多个半导体鳍中的两个相邻半导体鳍之间并且与两个相邻半导体鳍接触。该器件进一步包括多个接触塞，每一个接触塞都位于多个半导体区中的一个半导体区的上方并且与一个半导体区电连接。电连接件电互连多个半导体区和多个栅叠层的栅电极。本发明还提供了鳍结构上的保护环。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 保护环 | ||
【主权项】：
一种器件，包括：半导体衬底；隔离区，延伸至所述半导体衬底中；多个半导体鳍，高于所述隔离区的顶面；多个栅叠层，每一个栅叠层都包括：栅极介电层，位于所述多个半导体鳍中的一个半导体鳍的顶面和侧壁上；以及栅电极，位于所述栅极介电层上方；多个半导体区，每一个半导体区都设置在所述多个半导体鳍中的两个相邻的半导体鳍之间并且与这两个半导体鳍接触；多个接触塞，每一个接触塞都位于所述多个半导体区中的一个半导体区的上方并且与这一个半导体区电连接；以及电连接件，电互连所述多个半导体区和所述多个栅叠层的栅电极。
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