[发明专利]参考电压产生电路有效

专利信息
申请号: 201310030518.5 申请日: 2013-01-25
公开(公告)号: CN103092253A 公开(公告)日: 2013-05-08
发明(设计)人: 徐光磊 申请(专利权)人: 上海宏力半导体制造有限公司
主分类号: G05F3/26 分类号: G05F3/26
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 骆苏华
地址: 201203 上海市浦东新*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种参考电压产生电路。所述电路包括:电流镜单元、第一电阻、第二电阻和温度系数补偿单元,所述温度系数补偿单元包括:第一NMOS管、第二NMOS管和第三NMOS管,所述第一NMOS管的栅极与漏极相连并连接所述第一电阻的第二端,源极接地;所述第二NMOS管的栅极与漏极相连并连接所述电流镜单元的第一节点,源极接地;所述第三NMOS管的栅极与漏极相连并连接所述第二电阻的第二端,源极接地;所述第一NMOS管、第二NMOS管和第三NMOS管工作在亚阈值区或饱和区;所述第一电阻的第一端连接所述电流镜单元的第二节点;所述第二电阻的第一端连接所述电流镜单元的第三节点。本发明参考电压产生电路的工作电压范围较宽且该电路的功耗低。
搜索关键词: 参考 电压 产生 电路
【主权项】:
一种参考电压产生电路,其特征在于,包括:电流镜单元、第一电阻、第二电阻和温度系数补偿单元,其中,所述电流镜单元包括第一节点、第二节点和第三节点,所述第一节点处的电流、第二节点处的电流及第三节点处的电流分别成比例关系,所述第三节点作为所述参考电压产生电路的输出端;所述温度系数补偿单元包括:第一NMOS管、第二NMOS管和第三NMOS管,所述第一NMOS管的栅极与漏极相连并连接所述第一电阻的第二端,源极接地;所述第二NMOS管的栅极与漏极相连并连接所述电流镜单元的第一节点,源极接地;所述第三NMOS管的栅极与漏极相连并连接所述第二电阻的第二端,源极接地;所述第一NMOS管、第二NMOS管和第三NMOS管工作在亚阈值区或饱和区;所述第一电阻的第一端连接所述电流镜单元的第二节点;所述第二电阻的第一端连接所述电流镜单元的第三节点。
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