[发明专利]具有不同密度的纳米晶体的不同非易失性存储器的半导体器件及方法有效
| 申请号： | 201310031117.1 | 申请日： | 2013-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN103227153B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 姜盛泽;G·L·辛达洛里;B·A·温斯蒂亚德;J·A·耶特 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/8246 | 分类号： | H01L21/8246;H01L27/112 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 陈华成 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及具有不同密度的纳米晶体的不同非易失性存储器的半导体器件及方法。一种用于形成半导体器件（102、104、106）的方法包括在具有第一区域（104）和第二区域（102）的衬底（52）的表面之上形成第一多个纳米晶体（53），其中所述第一多个纳米晶体在所述第一区域和所述第二区域中形成并且具有第一密度；以及在形成所述第一多个纳米晶体之后，在所述第二区域中而不在所述第一区域中的所述衬底的所述表面之上形成第二多个纳米晶体（63），其中在所述第二区域中所述第一多个纳米晶体连同所述第二多个纳米晶体导致了第二密度，其中所述第二密度大于所述第一密度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 不同 密度 纳米 晶体 非易失性存储器 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种用于形成半导体器件的方法，包括：在具有第一区域和第二区域的衬底的表面之上形成第一多个纳米晶体，其中所述第一多个纳米晶体在所述第一区域和所述第二区域中形成并且具有第一密度；以及在形成所述第一多个纳米晶体之后，在所述第二区域中而不在所述第一区域中在衬底的表面之上形成第二多个纳米晶体，其中在所述第二区域中所述第一多个纳米晶体连同所述第二多个纳米晶体产生第二密度，其中所述第二密度大于所述第一密度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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