[发明专利]治愈非易失性存储器单元的隧穿电介质的结构和方法无效
| 申请号： | 201310031119.0 | 申请日： | 2013-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN103226978A | 公开（公告）日： | 2013-07-31 |
| 发明（设计）人： | 穆甫臣;王艳卓 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | G11C16/14 | 分类号： | G11C16/14;H01L27/115 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 冯玉清 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供治愈非易失性存储器单元的隧穿电介质的结构和方法。半导体器件包括存储器单元（18）的阵列（12）。每个存储器单元包括隧穿电介质（26）、包括第一电流电极（28）和第二电流电极（30）的阱区域、以及控制栅极（20）。第一和第二电流电极与隧穿电介质（26）的一侧相邻，控制栅极与隧穿电介质的另一侧相邻。控制器（16）耦合到存储器单元（18）。控制器（16）包括一逻辑以确定何时执行存储器单元（18）中的隧穿电介质（26）的治愈过程且在治愈过程中施加第一电压至存储器单元（18）的第一电流电极（28）以从隧穿电介质（26）去除俘获的电子和空穴。 | ||
| 搜索关键词： | 治愈 非易失性存储器 单元 电介质 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：存储器单元的阵列，其中每个所述存储器单元包括：隧穿电介质；阱区域，包括第一电流电极、第二电流电极、以及在所述第一电流电极与所述第二电流电极之间的沟道区域；浮置栅极，其中所述隧穿电介质在所述沟道区域之上，所述浮置栅极在所述隧穿电介质之上；界面电介质，在所述浮置栅极之上；以及控制栅极，在所述界面电介质之上；以及控制器，耦合到所述存储器单元，其中所述控制器包括确定何时执行所述存储器单元的隧穿电介质中的治愈过程以及在所述治愈过程期间施加第一电压至所述存储器单元的第一电流电极以从隧穿电介质移除被俘获的电子和空穴的逻辑。
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