[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、X射线平板探测器有效

专利信息
申请号: 201310031381.5 申请日: 2013-01-25
公开(公告)号: CN103137641A 公开(公告)日: 2013-06-05
发明(设计)人: 阎长江;李田生;徐少颖;谢振宇;陈旭 申请(专利权)人: 北京京东方光电科技有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 100176 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种阵列基板及其制作方法、X射线平板探测器,涉及光电技术领域,为能够增强薄膜晶体管的稳定性而发明。所述阵列基板包括:基板;形成于所述基板上的栅线层,所述栅线层包括栅极以及与所述栅极连接的栅线;形成于所述栅线层上方的栅绝缘层;形成于所述绝缘层上方的有源层;形成于所述有源层上方的数据线层,所述数据线层包括源极、漏极以及与所述源极连接的数据线,所述数据线与所述栅线交叉,其中,所述有源层包括导体层和半导体层,所述导体层形成于所述栅绝缘层的上方,所述半导体层包裹所述导体层。本发明主要适用在X射线平板探测器中。
搜索关键词: 一种 阵列 及其 制作方法 射线 平板 探测器
【主权项】:
一种阵列基板,包括:基板;形成于所述基板上的栅线层,所述栅线层包括栅极以及与所述栅极连接的栅线;形成于所述栅线层上方的栅绝缘层;形成于所述绝缘层上方的有源层;形成于所述有源层上方的数据线层,所述数据线层包括源极、漏极以及与所述源极连接的数据线,所述数据线与所述栅线交叉,其特征在于,所述有源层包括导体层和半导体层,所述导体层形成于所述栅绝缘层的上方,所述半导体层包裹所述导体层。
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