[发明专利]一种发光组件及具有此发光组件的发光装置有效

专利信息
申请号: 201310031600.X 申请日: 2013-01-28
公开(公告)号: CN103107179B 公开(公告)日: 2017-04-26
发明(设计)人: 黄知澍 申请(专利权)人: 晶元光电股份有限公司
主分类号: H01L27/15 分类号: H01L27/15
代理公司: 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙)32235 代理人: 杨林洁
地址: 中国台湾新*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明涉及一种具有发光组件的发光装置,所述发光组件包括集成在同一基板的一发光二极管与一金属半导体场效晶体管,并通过电路图案以调整金属半导体场效晶体管的闸极电极的电压来控制通过发光二极管的电流的大小。其中,所述金属半导体场效晶体管包括一第1半导体层;一第2半导体层形成在所述第1半导体层一端的表面处;一第3半导体层形成在所述第1半导体层相对于所述第2半导体层的另一端的表面处;一闸极电极与所述第1半导体层形成萧基接触、一汲极电极与所述第2半导体层形成欧姆接触以及一源极电极与所述第3半导体层形成欧姆接触。
搜索关键词: 一种 发光 组件 具有 装置
【主权项】:
一种发光组件,其特征在于,包括:一基板;一第1发光二极管,形成于所述基板上;及一第1晶体管,形成于所述基板上,所述第1晶体管为常开型晶体管,所述第1晶体管包括:一第1半导体层;一第2半导体层,形成于所述第1半导体层一端的表面处;一第3半导体层,形成于所述第1半导体层相对于所述第2半导体层的另一端的表面处;一闸极电极,与所述第1半导体层形成萧基接触;一汲极电极,与所述第2半导体层形成欧姆接触;及一源极电极,与所述第3半导体层形成欧姆接触;其中所述第2半导体层及第3半导体层的掺杂条件与所述第1半导体层的掺杂条件不同;所述第2半导体层及第3半导体层之间的间隔暴露出所述第1半导体层。
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