[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201310031909.9 | 申请日： | 2013-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN103227198A | 公开（公告）日： | 2013-07-31 |
| 发明（设计）人： | 秋山深一;细田勉;宫本真人 | 申请（专利权）人： | 富士通半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张浴月;陈昌柏 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本申请公开一种化合物半导体器件及其制造方法。一种化合物半导体器件的实施例包括：电子渡越层；电子供应层，形成在电子渡越层的上方；二维电子气抑制层，形成在电子供应层的上方；绝缘膜，形成在二维电子气抑制层和电子渡越层的上方；以及栅极电极，形成在绝缘膜的上方。栅极电极与二维电子气抑制层电连接。本申请能够以高阈值电压实现常关操作。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种化合物半导体器件，包括：电子渡越层；电子供应层，形成在所述电子渡越层的上方；二维电子气抑制层，形成在所述电子供应层的上方；绝缘膜，形成在所述二维电子气抑制层和所述电子渡越层的上方；以及栅极电极，形成在所述绝缘膜的上方，其中，所述栅极电极与所述二维电子气抑制层电连接。
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