[发明专利]多晶硅锭及其制备方法和多晶硅片有效
| 申请号： | 201310033073.6 | 申请日： | 2013-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN103074669A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 胡动力;雷琦;陈红荣;万跃鹏 | 申请（专利权）人： | 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 338000 江西省新余*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供了多晶硅锭的制备方法，该制备方法包括：（1）在坩埚底部铺设微晶形核层，微晶形核层为微晶硅、无定形硅、微晶硅化物材料和无定形硅化物材料中的一种或几种；微晶形核层的厚度为第一高度值；（2）在微晶形核层上方填装硅料，加热使硅料熔化，待硅料完全熔化后形成的固液界面刚好处在或深入微晶形核层时，调节热场形成过冷状态，使硅熔体在微晶形核层基础上开始长晶；（3）待全部结晶完后，经退火冷却得到多晶硅锭。该制备方法能够得到位错密度低、高质量的多晶硅锭，并且所使用的微晶形核层尺寸、形状不限，便于操作，适于大规模生产。本发明同时提供了通过该制备方法获得的多晶硅锭，以及利用所述多晶硅锭制备获得的多晶硅片。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 及其 制备 方法 硅片 | ||
【主权项】：
多晶硅锭的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）在坩埚底部铺设微晶形核层，所述微晶形核层为微晶硅、无定形硅、微晶硅化物材料和无定形硅化物材料中的一种或几种；所述微晶形核层的厚度为第一高度值；（2）在所述微晶形核层上方填装硅料，加热使所述硅料熔化形成硅熔体，待所述硅料完全熔化后形成的固液界面刚好处在或深入微晶形核层时，调节热场形成过冷状态，使所述硅熔体在微晶形核层基础上开始长晶；（3）待全部硅熔体结晶完后，经退火冷却得到多晶硅锭。
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