[发明专利]一种电容式压力传感器的制备方法无效

专利信息
申请号: 201310033190.2 申请日: 2013-01-29
公开(公告)号: CN103964370A 公开(公告)日: 2014-08-06
发明(设计)人: 刘圣亚;高成臣;郝一龙 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: B81C1/00 分类号: B81C1/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100871 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种电容式压力传感器的制备方法。本发明在于用采用相对简单的工艺方法,制造出结构简单但是可靠性好,重复性好的器件。具体加工方法包括,敏感膜片的加工,电容间隙的加工,电极的加工及电极引出,硅玻璃的键合等。敏感膜片的加工过程包括:电容间隙的腐蚀,采用四甲基氢氧化铵(TMAH)溶液,硅岛的腐蚀采用氢氧化钾(KOH)溶液。本专利的发明在于硅岛的腐蚀,本发明在于提出了一种变截面(八角形)型膜片。变截面膜片有较好的线性度,且有较低的应力集中。电容间隙在2~4um,用TMAH溶液易于控制腐蚀精度。淀积Cr/Au电极,与玻璃电极键合在一起,玻璃面用胶保护好后,光刻正面并腐蚀出硅岛,在键合时,考虑静电键合腔内进水,做了相应的设计。
搜索关键词: 一种 电容 压力传感器 制备 方法
【主权项】:
一种体硅工艺制成的压力传感器,该压力传感器自上而下包括上玻璃板,硅敏感膜片,下玻璃电极板。其特征在于,所述方法包括以下步骤:玻璃电极的加工步骤:采用玻璃作为下极板,在玻璃板上采用淀积工艺淀积金属,作为电极,并图形化电极形成电极引线和压焊电极.敏感膜片的加工:采用硅片作为基片,在背面腐蚀出电容间隙,淀积电极,和玻璃电极键合后,腐蚀出正面的硅岛。硅岛为变截面型硅岛。打孔玻璃键合:腐蚀出硅岛后,与打孔玻璃键合在一起。划片:通过划片完成裂片和压焊电极的露出。
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