[发明专利]具有隔离结构的半导体衬底及其制备方法有效
| 申请号： | 201310033951.4 | 申请日： | 2013-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN103187355A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 龚大卫;马清杰 | 申请（专利权）人： | 中航（重庆）微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/12 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 401332 重庆市*** | 国省代码： | 重庆;85 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种实现集成电路隔离的方法，更确切的说，本发明旨在提供一种具有隔离结构的半导体衬底及其制备方法。在半导体衬底中形成沟槽，并在沟槽侧壁和底部上覆盖介质层，在沟槽底部的介质层上开设开口，将填充材料填充在沟槽内并掺杂有高浓度掺杂物，透过开口将掺杂物扩散至沟槽底部附近的半导体衬底内形成扩散区，隔离结构包含了填充材料及介质层和扩散区。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 隔离 结构 半导体 衬底 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有隔离结构的半导体衬底，该半导体衬底包括一底部衬底和一位于底部衬底上方的外延层，其特征在于，包括：形成在半导体衬底中的一个或多个环形沟槽；内衬于沟槽侧壁和底部的介质层；开设于沟槽底部的所述介质层上的开口；填充在所述沟槽内的并掺杂有高浓度掺杂物的填充材料；由所述掺杂物从所述填充材料中透过所述开口扩散至沟槽底部附近的半导体衬底内所形成的围绕在沟槽底部的扩散区；所述隔离结构包含所述填充材料及介质层和所述扩散区，被包围在环形沟槽内侧的所述外延层藉此被隔离结构隔离成一个孤立的外延岛区。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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