[发明专利]一种半导体器件的终止结构有效
| 申请号： | 201310033999.5 | 申请日： | 2011-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN103151379A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 管灵鹏;安荷·叭剌;朱廷刚;马督儿·博德 | 申请（专利权）人： | 万国半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 美国加利福尼亚州94*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种超级结器件以及超级结器件的布局设计和制备方法，可以配置有源单元立柱结构的布局，使第一导电类型掺杂物的电荷，与有源单元区的掺杂层中的第二导电类型掺杂物的电荷相互平衡。设计终止立柱结构附近的有源单元立柱结构末端的布局，使末端里的第一导电类型掺杂物的电荷以及终止立柱结构中第一导电类型掺杂物的电荷，与掺杂层在终止立柱结构与末端之间的那部分中的第二导电类型掺杂物的电荷相互平衡。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 终止 结构 | ||
【主权项】：
一个半导体器件的终止结构，其特征在于，包括：一个通道停止场板，位于半导体材料的边缘附近的半导体材料的表面上，其中通道停止场板利用半导体材料构成一个肖特基型停止通道。
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