[发明专利]一种用于等离子处理腔室的石英组件及等离子体处理设备有效
| 申请号： | 201310034183.4 | 申请日： | 2013-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN103964686B | 公开（公告）日： | 2016-10-26 |
| 发明（设计）人： | 姚国峰;贺小明 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | C03C3/076 | 分类号： | C03C3/076;C03C3/095;C03C3/083;C03B20/00;H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张龙哺;吕俊清 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于等离子处理腔室的石英组件，其特征在于，所述石英组件由氧化硅基材料制成，其中，所述氧化硅基材料包括：氧化硅材料，所述氧化硅材料所占的比例大于或等于总组分的50％；掺杂剂，所述掺杂剂包括导电性掺杂剂以及抗性掺杂剂，其中，所述导电性掺杂剂用以加强所述氧化硅材料的导电性，其所占比例小于总组分的20％，所述抗性掺杂剂用以加强所述氧化硅材料的等离子阻抗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 等离子 处理 石英 组件 等离子体 设备 | ||
【主权项】：
一种用于等离子处理腔室的石英组件，其特征在于，所述石英组件由氧化硅基材料制成，其中，所述氧化硅基材料包括：氧化硅材料，所述氧化硅材料所占的比例大于或等于总组分的50％；掺杂剂，所述掺杂剂包括导电性掺杂剂以及抗性掺杂剂，其中，所述导电性掺杂剂用以加强所述氧化硅材料的导电性，其所占比例小于总组分的20％，所述抗性掺杂剂用以加强所述氧化硅材料的等离子阻抗。
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