[发明专利]单模光子晶体垂直腔面发射激光器及其制备方法无效
| 申请号： | 201310034295.X | 申请日： | 2013-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN103107482A | 公开（公告）日： | 2013-05-15 |
| 发明（设计）人： | 渠红伟;张冶金;张建心;刘磊;齐爱谊;王海玲;马绍栋;石岩;郑婉华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 曹玲柱 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种单模光子晶体垂直腔面发射激光器及其制备方法。该单模光子晶体垂直腔面发射激光器，利用透明导电层透光和导电特性，使得电流均匀的注入有源区，从而解决了电流注入问题，提高了单模输出功率。 | ||
| 搜索关键词： | 单模 光子 晶体 垂直 发射 激光器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种单模光子晶体垂直腔面发射激光器，其特征在于，包括：衬底；N型电极，形成于所述衬底的背面；N型DBR，形成于所述衬底的正面，用于形成电流注入通道；有源区，形成于所述N型DBR的上方，用于提供光增益；台形P型DBR，形成于所述有源区上方，用于提供高反射率，并形成电流注入通道；绝缘层，形成于台形P型DBR的侧面、除台形P型DBR覆盖面积之外的N型DBR的上方，并在台形P型DBR上方形成第一环形结构；P型电极，形成于所述绝缘层的上方，并在台形P型DBR上方形成第二环形结构，该第二环形结构的半径小于上述第一环形结构的半径，该第二环形结构内构成激光器的出光窗口；光子晶体，形成于所述出光窗口下方的台形P型DBR上；以及透明导电层，形成于P型电极和所述第二环形结构的上方。
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