[发明专利]高密度存储智能卡模块及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201310034311.5 申请日: 2013-01-29
公开(公告)号: CN103164737A 公开(公告)日: 2013-06-19
发明(设计)人: 陈松 申请(专利权)人: 三星半导体(中国)研究开发有限公司;三星电子株式会社
主分类号: G06K19/077 分类号: G06K19/077
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 郭鸿禧;韩芳
地址: 215021 江苏省苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种高密度存储智能卡模块及其制造方法,所述高密度存储智能卡模块包括:存储卡,具有通用存储卡的功能,所述存储卡具有第一数据端至第四数据端、第一电源端、第一接地端、第一时钟端以及指令端;智能卡,具有通用SIM卡的功能,所述智能卡具有第二电源端和第二接地端、第二时钟端、IO端和重置端,其中,存储卡与智能卡设置在同一封装件中,第一电源端和第二电源端、第一接地端和第二接地端以及第一时钟端与第二时钟端中的至少一对分别共用相同的端子。
搜索关键词: 高密度 存储 智能卡 模块 及其 制造 方法
【主权项】:
一种高密度存储智能卡模块,包括:存储卡,具有通用存储卡的功能,所述存储卡具有第一数据端至第四数据端、第一电源端、第一接地端、第一时钟端以及指令端;智能卡,具有通用SIM卡的功能,所述智能卡具有第二电源端和第二接地端、第二时钟端、IO端和重置端,其中,存储卡与智能卡设置在同一封装件中,第一电源端和第二电源端、第一接地端和第二接地端以及第一时钟端与第二时钟端中的至少一对分别共用相同的端子。
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