[发明专利]半导体器件的接触结构有效
| 申请号： | 201310034600.5 | 申请日： | 2013-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN103811550A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 王菘豊;时定康;林经祥;孙诗平;万幸仁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L23/532;H01L21/28;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件的接触结构。一种用于半导体器件的接触结构的示例性结构包括：衬底，包括主面和主面下方的沟槽；填充沟槽的应变材料，应变材料的晶格常数不同于衬底的晶格常数；层间介电层(ILD)，具有位于应变材料上方的开口，开口包括介电侧壁和应变材料底部；半导体层，位于开口的侧壁和底部上；介电层，位于半导体层上方；以及填充介电层开口的金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 接触 结构 | ||
【主权项】：
一种用于半导体器件的接触结构，包括：衬底，包括主面和位于所述主面下方的沟槽；应变材料，填充所述沟槽，所述应变材料的晶格常数不同于所述衬底的晶格常数；层间介电层(ILD)，具有位于所述应变材料上方的开口，所述开口包括介电侧壁和应变材料底部；半导体层，位于所述开口的侧壁和底部上；介电层，位于所述半导体层上方；以及金属层，填充所述介电层的开口。
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