[发明专利]形成图案的方法有效
| 申请号： | 201310034749.3 | 申请日： | 2013-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN103811312A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 林毓超;许家豪;吴国钰;陈嘉仁;陈昭成 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/308 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种形成衬底图案的方法的实施例包括在衬底上形成底层和上覆中间层。光刻胶图案形成在中间层上。在光刻胶图案上沉积蚀刻涂层。将蚀刻涂层和光刻胶图案用作掩膜元件以图案化中间层和底层中的至少一个。将图案化的中间层和图案化的底层中的至少一个用作掩膜元件来蚀刻衬底以形成衬底图案。衬底图案可用作覆盖测量工艺的元件。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 图案 方法 | ||
【主权项】：
一种形成衬底图案的方法，所述方法包括：接收衬底；在所述衬底上形成底层和中间层，所述中间层位于所述底层上方；在所述中间层上形成光刻胶图案；在所述光刻胶图案上沉积蚀刻涂层；将所述蚀刻涂层和所述光刻胶图案用作掩膜元件来图案化所述中间层和所述底层中的至少一个；以及将图案化的中间层和图案化的底层中的至少一个用作掩膜元件来蚀刻衬底，以在所述衬底中形成所述衬底图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
