[发明专利]一种高纯硅的制备方法

摘要

本发明提供一种高纯硅的制备方法，经预处理、电磁定向凝固气泡吸杂处理，通过电磁定向凝固气泡吸杂处理就得到界面清晰的初晶硅和铝硅合金产品，然后经过切割分离后对初晶硅进行酸洗处理就得到高纯硅。本发明获得的高纯硅纯度大于99.999%，高纯硅中铁的含量小于0.0002%，铝的含量小于0.0002%，硼的含量小于0.0001%，磷的含量小于0.0001%，其余杂质的总含量小于0.0006%。本发明方法具有生产成本低，产品质量好，并且对环境无污染等优点。

主权项

一种高纯硅的制备方法，其特征在于经过下列各步骤：（1）预处理：将不同含量的过共晶铝硅合金原料磨成100目的细粉，并研磨均匀，然后压块，并以氩气为保护气氛，在温度为670～2500℃下进行加热至熔化，反应时间为2～200分钟；（2）电磁定向凝固气泡吸杂处理：将步骤（1）预处理后的物料以凝固速率为1～10000μm/s进行向上或向下的定向凝固处理，并同时在物料外部施加磁感应强度为1～100T的磁场，析出初晶硅和共晶铝硅合金；（3）切割分离：将步骤（2）所得的物料沿初晶硅和共晶铝硅合金的界面处进行切割分离，分别得到初晶硅和共晶铝硅合金；（4）酸洗处理：将步骤（3）所得的初晶硅进行酸洗处理，再经研磨、干燥，即得到高纯硅粉末。