[发明专利]微纳尺度静电力开关及其制造方法有效
| 申请号： | 201310035425.1 | 申请日： | 2013-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN103964364A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 聂鹏飞;朱慧珑;粟雅娟;贾昆鹏;杨杰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | B81B3/00 | 分类号： | B81B3/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种微纳尺度静电力开关，包括：衬底，包括绝缘层与背电极；源电极与漏电极，位于衬底上，沿第一方向排列；支撑电极，位于衬底上，沿第二方向排列；石墨烯层，位于支撑电极上并与其电连接；源漏电极连接层，沿第一方向延伸，与源电极和漏电极电连接。依照本发明的微纳尺度静电力开关及其制造方法，采用石墨烯这种单晶薄层导电材料作为膜桥材料，利用电极和支撑电极之间的偏压产生静电力从而将膜桥下拉、形变之后通过金属层将源漏电极连接起来形成开关，开启电压小，不需要较大的驱动电路，能够缩小微纳机械开关的尺寸并与CMOS兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 尺度 静电力 开关 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种微纳尺度静电力开关，包括：衬底，包括绝缘层与背电极；源电极与漏电极，位于衬底上，沿第一方向排列；支撑电极，位于衬底上，沿第二方向排列；石墨烯层，位于支撑电极上并与其电连接；源漏电极连接层，沿第一方向延伸，与源电极和漏电极电连接。
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