[发明专利]一种LED外延结构无效
| 申请号： | 201310036011.0 | 申请日： | 2013-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN103078018A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 李鸿建;靳彩霞;董志江 | 申请（专利权）人： | 武汉迪源光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/14 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 杨立 |
| 地址： | 430205 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种LED外延结构，包括依次层叠的衬底、过渡层、u型氮化镓层、n型氮化镓层、多量子阱层、p型氮化镓层、ITO掺锡氧化铟层、p型电极和形成于n型氮化镓层上的n型电极，还包括p型接触层，所述p型接触层介于p型氮化镓层和ITO掺锡氧化铟层之间，呈锲型结构，且p型接触层的空穴浓度渐变，靠近p型氮化镓层一测空穴浓度高，远离p型氮化镓层一侧空穴浓度低；本发明所述LED外延结构具有结构简单、制作方便等优点，相对传统结构，能较大地提高强LED的发光效率与信赖性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 外延 结构 | ||
【主权项】：
一种LED外延结构，包括依次层叠的衬底、过渡层、u型氮化镓层、n型氮化镓层、多量子阱层、p型氮化镓层、ITO掺锡氧化铟层、p型电极和形成于n型氮化镓层上的n型电极，其特征在于，还包括p型接触层，所述p型接触层介于p型氮化镓层和ITO掺锡氧化铟层之间，呈锲型结构，且p型接触层的空穴浓度渐变，靠近p型氮化镓层的一测空穴浓度高，远离p型氮化镓层一侧空穴浓度低。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉迪源光电科技有限公司，未经武汉迪源光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310036011.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：液压摇臂板波电装置
- 下一篇：一种合流驱动输入齿轮的双点支撑装置
