[发明专利]一种防止图案缺失的方法及其晶圆制造方法有效
| 申请号： | 201310036476.6 | 申请日： | 2013-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN103972082B | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 李健 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/318 | 分类号： | H01L21/318 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人： | 马晓亚 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种防止图案缺失的方法，尤其是防止掩膜层图案缺失的方法，依次包括在晶圆的一个表面上生长多晶硅层；在多晶硅层表面形成掩膜层；在多晶硅层表面形成的掩膜层上形成厚度在4000埃以上的保护层；去除多余掩膜层；去除保护层。本发明还提供了一种防止图案缺失的晶圆制造方法，依次包括在晶圆上的一个表面上生长多晶硅层；在多晶硅层上形成掩膜层；在掩膜层上形成厚度在4000埃以上的保护层；去除晶圆背面的掩膜层；去除保护层；刻蚀晶圆形成电路图案。本发明提供的方法科学有效的避免了图案缺失的问题，尤其是避免了掩膜层图案缺失，而且不会增加工艺时间和生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 防止 图案 缺失 方法 及其 制造 | ||
【主权项】：
一种防止图案缺失的方法，其特征在于，该方法依次包括以下步骤：在晶圆的一表面上生长多晶硅层；在所述多晶硅层表面和晶圆背面形成掩膜层；在所述多晶硅层表面形成的所述掩膜层上形成厚度为4000埃以上的保护层；去除所述晶圆背面的掩膜层；去除保护层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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