[发明专利]鳍式场效应晶体管牺牲栅极的制作方法有效
| 申请号： | 201310036546.8 | 申请日： | 2013-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN103972093B | 公开（公告）日： | 2018-03-06 |
| 发明（设计）人： | 蒋莉;黎铭琦 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供的鳍式场效应晶体管牺牲栅极的制作方法，包括提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成氮化硅层；蚀刻所述氮化硅层和所述半导体衬底，以形成鳍部；沉积第一牺牲栅极层；采用化学机械平坦化方法研磨所述第一牺牲栅极层，研磨至接触到所述氮化硅层后停止；沉积第二牺牲栅极层，所述第二牺牲栅极层位于所述鳍部的上方。本发明所提供的鳍式场效应晶体管牺牲栅极的制作方法通过形成厚度均一的第一牺牲栅极层和第二牺牲栅极层，为后续形成的真正栅极达到厚度均一要求提供了可靠保证。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 牺牲 栅极 制作方法 | ||
【主权项】：
一种鳍式场效应晶体管牺牲栅极的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成氮化硅层；选择性蚀刻所述氮化硅层和所述半导体衬底，以形成鳍部；所述鳍部两侧形成有凹槽而上表面仍然覆盖所述氮化硅层；在所述凹槽内形成绝缘介质层，再回蚀刻部分所述绝缘介质层；沉积第一牺牲栅极层，所述第一牺牲栅极层填充所述鳍部两侧的所述凹槽，并覆盖所述氮化硅层；采用化学机械平坦化方法研磨所述第一牺牲栅极层，研磨至接触到所述氮化硅层后停止，剩下的所述第一牺牲栅极层位于所述鳍部的两侧；沉积第二牺牲栅极层，所述第二牺牲栅极层位于所述鳍部的上方；所述第一牺牲栅极层和所述第二牺牲栅极层为多晶硅层；所述氮化硅层的厚度为300埃至800埃；沉积的所述第一牺牲栅极层的厚度为500埃至2000埃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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