[发明专利]具有其中有间隙的双密封环的集成电路有效
申请号: | 201310037444.8 | 申请日: | 2009-10-01 |
公开(公告)号: | CN103094221A | 公开(公告)日: | 2013-05-08 |
发明(设计)人: | 诺曼·小弗雷德里克;汤姆·迈尔斯 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/00 | 分类号: | H01L23/00;H01L23/58 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 宋献涛 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明涉及具有其中有间隙的双密封环的集成电路。可通过制造具有非邻近间隙的两个密封环而减少信号传播及水分渗透的量及因IC中的水分渗透降级所致的对应的可靠性问题。在一个实施例中,可通过制造具有带有偏移的入口部分及出口部分的沟道的宽密封环而达到相同效果。所述实施例中的任一者还可具有进一步减少信号传播的接地密封环区段。 | ||
搜索关键词: | 具有 其中 间隙 密封 集成电路 | ||
【主权项】:
一种用于集成电路的密封系统,其包含:密封环,其限定所述集成电路,所述密封环包括具有入口部分及出口部分的至少一个沟道,所述入口部分从所述出口部分偏移。
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