[发明专利]发光二极管封装结构及其制造方法无效
申请号: | 201310037525.8 | 申请日: | 2013-01-31 |
公开(公告)号: | CN103972356A | 公开(公告)日: | 2014-08-06 |
发明(设计)人: | 周昀佑;陈科华 | 申请(专利权)人: | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/58 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 一种发光二极管封装结构的制造方法,其包括以下几个步骤:提供一发光二极管芯片;将该发光二极管芯片设置于透镜的成型模具中,然后射出成型透镜,使发光二极管芯片与透镜一体结合;提供一表面具有电极构造的基板;将透镜连同发光二极管芯片一起固定于该基板上,同时使得透镜上的发光二极管芯片与电极构造形成电连接。本发明的发光二极管封装结构的制造方法的制程简单。本发明还提供一种发光二极管封装结构。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种发光二极管封装结构的制造方法,其包括以下几个步骤:提供一发光二极管芯片;将该发光二极管芯片设置于透镜的成型模具中,然后射出成型透镜,使发光二极管芯片与透镜一体结合;提供一表面具有电极构造的基板;将透镜连同发光二极管芯片一起固定于该基板上,同时使得透镜上的发光二极管芯片与电极构造形成电连接。
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