[发明专利]一种氮化物发光二极管及其制备方法无效
| 申请号： | 201310038258.6 | 申请日： | 2013-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN103094442A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 郑远志;康建;徐琦;陈静;盛成功 | 申请（专利权）人： | 马鞍山圆融光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/32 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 243000 安徽省马鞍山市马鞍*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种氮化物发光二极管的制备方法，包括如下步骤：在衬底上依次生长N型氮化物层、发光层、P型氮化物层；去除部分P型氮化物层和发光层，直至暴露出N型氮化物层；在P型氮化物表面形成电流阻挡层；在P型氮化物层和暴露出的N型氮化物层的表面形成透明电极；在透明电极表面制作焊线电极，并且P型氮化物层表面的焊线电极的位置与P型氮化物层表面的电流阻挡层位置相对应。本发明的优点在于使电流较为均匀的传输，避免了电流的拥挤现象，又避免了传统芯片中大面积N电极金属对光的遮蔽和吸收，同时也克服了漏电问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化物 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物发光二极管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在衬底上依次生长N型氮化物层、发光层、P型氮化物层；去除部分P型氮化物层和发光层，直至暴露出N型氮化物层；在P型氮化物表面形成电流阻挡层；在P型氮化物层和暴露出的N型氮化物层的表面形成透明电极；在透明电极表面制作焊线电极，并且P型氮化物层表面的焊线电极的位置与P型氮化物层表面的电流阻挡层位置相对应。
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