[发明专利]NPN结构的激光光伏电池及其制备方法有效
| 申请号： | 201310039660.6 | 申请日： | 2013-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN103268893A | 公开（公告）日： | 2013-08-28 |
| 发明（设计）人： | 赵春雨;董建荣;于淑珍;赵勇明;李奎龙;孙玉润;曾徐路;杨辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/0693;H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种NPN结构的激光光伏电池，所述光伏电池包括依次形成于半绝缘衬底上反向P/N结、P型导电层、P/N结电池、N型窗口层和N型接触层，所述反向P/N结包括依次形成于所述半绝缘衬底上的N型层和P型层，所述P/N结电池包括沿远离半绝缘衬底方向依次设置的P型吸收层和N型吸收层。本发明还公开了一种激光光伏电池的制备方法。本发明有效地解决了半绝缘衬底光照下导致的漏电问题，制作的光伏电池具有并联电阻高、漏电小和转换效率高的优点，同时降低了器件对GaAs衬底绝缘性能的要求。 | ||
| 搜索关键词： | npn 结构 激光 电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种NPN结构的激光光伏电池，其特征在于：所述光伏电池包括依次形成于半绝缘衬底上反向P/N结、P型导电层、P/N结电池、N型窗口层和N型接触层，所述反向P/N结包括依次形成于所述半绝缘衬底上的N型层和P型层，所述P/N结电池包括沿远离半绝缘衬底方向依次设置的P型吸收层和N型吸收层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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