[发明专利]一种N型太阳能电池及其制作方法无效
| 申请号： | 201310039845.7 | 申请日： | 2013-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN103066165A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 王英超;熊景峰;胡志岩;李高非;赵文超 | 申请（专利权）人： | 英利集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0352;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 071051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种N型太阳能电池及其制作方法，所述方法包括：提供一N型硅片，所述N型硅片的下表面包括：背面栅线区域以及背面非栅线区域；在所述下表面形成一层掩膜层；去除所述背面栅线区域的掩膜层；对所述下表面进行第一次N型掺杂，在所述背面栅线区域形成第一N型掺杂区；去除剩余的掩膜层，对所述下表面进行第二次N型掺杂，在所述背面非栅线区域形成第二N型掺杂区，所述第二N型掺杂区的掺杂浓度小于所述第一N型掺杂区的掺杂浓度；对所述N型硅片进行退火处理；形成正面电极结构和背面电极结构，所述正面电极结构位于所述N型硅片的上表面，所述背面电极结构位于所述N型硅片的下表面。该方法保证了硅片的机械强度，电池片不易破碎。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种N型太阳能电池制作方法，其特征在于，包括:提供一N型硅片，所述N型硅片的下表面包括：背面栅线区域以及背面非栅线区域；在所述下表面形成一层掩膜层；去除所述背面栅线区域的掩膜层；对所述下表面进行第一次N型掺杂，在所述背面栅线区域形成第一N型掺杂区；去除剩余的掩膜层，对所述下表面进行第二次N型掺杂，在所述背面非栅线区域形成第二N型掺杂区，所述第二N型掺杂区的掺杂浓度小于所述第一N型掺杂区的掺杂浓度；对所述N型硅片进行退火处理；形成正面电极结构和背面电极结构，所述正面电极结构位于所述N型硅片的上表面，所述背面电极结构位于所述N型硅片的下表面。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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