[发明专利]基于纳米压印的硅薄膜太阳电池表面陷光结构制备方法有效

专利信息
申请号: 201310039892.1 申请日: 2013-02-01
公开(公告)号: CN103972324A 公开(公告)日: 2014-08-06
发明(设计)人: 王庆康;王阳培华;甘延长;沈向前;姜学松 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;G03F7/00
代理公司: 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 代理人: 郭国中
地址: 200240 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种基于纳米压印的硅薄膜太阳电池表面陷光结构制备方法。首先制备压印玻璃模板,将压印玻璃模板浸泡在含氟硅氧烷基的甲苯溶液中修饰,清洗氮气吹干备用。同时对硅基薄膜太阳能电池的表面玻璃进行清洗,并用氮气吹干悬挂且仅使硅基薄膜电池的表面玻璃的表面部分浸泡在含烯酸酯硅氧烷基修饰液中修饰,之后清洗氮气吹干,再在硅基薄膜太阳能电池的表面玻璃旋涂一层透明压印胶,通过压印技术将图形转移到硅基薄膜太阳能电池的表面玻璃上的压印胶体上。本发明既降低反射又能陷光且不改变硅基薄膜太阳能电池制备工艺,可以有效避免薄膜电池缺陷的产生,且不需要复杂设备,高温高压等条件,有利于提高太阳能电池光电转换效率。
搜索关键词: 基于 纳米 压印 薄膜 太阳电池 表面 结构 制备 方法
【主权项】:
一种基于纳米压印的硅薄膜太阳电池表面陷光结构制备方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:第一步,准备修饰的压印模板(1)选择光刻模板,根据最小线宽采用不同商业光刻胶,通过传统的光刻技术将周期性或非周期性光刻模板的结构转移到玻璃衬底上的铬层上;(2)使用氢氟酸缓冲溶液刻蚀铬层下面裸露玻璃,形成周期性半球阵列或非周期性半球结构;(3)使用去铬溶液去掉残留的铬层,再通过去离子水洗净,进而形成纳米压印玻璃模板;(4)根据标准半导体清洗标准步骤对将作为纳米压印玻璃模板清洗,并在用氮气吹干,之后将纳米压印玻璃模板浸泡在含氟硅氧烷基的甲苯溶液中修饰,之后酒精清洗氮气吹干备用;第二步,对硅基薄膜太阳能电池的表面玻璃进行清洗,并用氮气吹干悬挂且仅使硅基薄膜电池的表面玻璃的表面部分浸泡在含烯酸酯硅氧烷基的甲苯溶液中修饰,之后通过酒精清洗氮气吹干;第三步,再在硅基薄膜太阳能电池的表面玻璃旋涂一层透明压印胶,通过压印技术将纳米压印玻璃模板图形转移到硅基薄膜太阳能电池的表面玻璃上的压印胶体上。
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