[发明专利]基于纳米压印的硅薄膜太阳电池表面陷光结构制备方法有效
申请号: | 201310039892.1 | 申请日: | 2013-02-01 |
公开(公告)号: | CN103972324A | 公开(公告)日: | 2014-08-06 |
发明(设计)人: | 王庆康;王阳培华;甘延长;沈向前;姜学松 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;G03F7/00 |
代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人: | 郭国中 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于纳米压印的硅薄膜太阳电池表面陷光结构制备方法。首先制备压印玻璃模板,将压印玻璃模板浸泡在含氟硅氧烷基的甲苯溶液中修饰,清洗氮气吹干备用。同时对硅基薄膜太阳能电池的表面玻璃进行清洗,并用氮气吹干悬挂且仅使硅基薄膜电池的表面玻璃的表面部分浸泡在含烯酸酯硅氧烷基修饰液中修饰,之后清洗氮气吹干,再在硅基薄膜太阳能电池的表面玻璃旋涂一层透明压印胶,通过压印技术将图形转移到硅基薄膜太阳能电池的表面玻璃上的压印胶体上。本发明既降低反射又能陷光且不改变硅基薄膜太阳能电池制备工艺,可以有效避免薄膜电池缺陷的产生,且不需要复杂设备,高温高压等条件,有利于提高太阳能电池光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 基于 纳米 压印 薄膜 太阳电池 表面 结构 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种基于纳米压印的硅薄膜太阳电池表面陷光结构制备方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:第一步,准备修饰的压印模板(1)选择光刻模板,根据最小线宽采用不同商业光刻胶,通过传统的光刻技术将周期性或非周期性光刻模板的结构转移到玻璃衬底上的铬层上;(2)使用氢氟酸缓冲溶液刻蚀铬层下面裸露玻璃,形成周期性半球阵列或非周期性半球结构;(3)使用去铬溶液去掉残留的铬层,再通过去离子水洗净,进而形成纳米压印玻璃模板;(4)根据标准半导体清洗标准步骤对将作为纳米压印玻璃模板清洗,并在用氮气吹干,之后将纳米压印玻璃模板浸泡在含氟硅氧烷基的甲苯溶液中修饰,之后酒精清洗氮气吹干备用;第二步,对硅基薄膜太阳能电池的表面玻璃进行清洗,并用氮气吹干悬挂且仅使硅基薄膜电池的表面玻璃的表面部分浸泡在含烯酸酯硅氧烷基的甲苯溶液中修饰,之后通过酒精清洗氮气吹干;第三步,再在硅基薄膜太阳能电池的表面玻璃旋涂一层透明压印胶,通过压印技术将纳米压印玻璃模板图形转移到硅基薄膜太阳能电池的表面玻璃上的压印胶体上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的