[发明专利]有机薄膜场效应晶体管的制备方法在审
申请号: | 201310040862.2 | 申请日: | 2013-02-01 |
公开(公告)号: | CN103972392A | 公开(公告)日: | 2014-08-06 |
发明(设计)人: | 潘革波;肖燕 | 申请(专利权)人: | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
主分类号: | H01L51/40 | 分类号: | H01L51/40;H01L51/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215123 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供了一种有机薄膜场效应晶体管的制备方法,包括在衬底上制作有源层的工序,所述的有源层是通过气体喷印工艺将金属氧化物喷印到接收层上形成的;其中,所述气体喷印工艺的步骤包括:S1、对有机半导体化合物进行加热使之升华成气雾;S2、将所述气雾喷射到接收层上。本发明通过气体喷印工艺实现了低成本、纳米尺度高效有机薄膜场效应晶体管的制作,具有操作简单,定位准确,应用范围广的优点;无需将固体溶解配成溶液,既可以克服喷墨打印、电纺丝等纳米制造技术中溶液配置带来的困扰,同时又能克服传统PVD、CVD和真空蒸镀过程中存在的难分离,无法准确定位的缺点。 | ||
搜索关键词: | 有机 薄膜 场效应 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种有机薄膜场效应晶体管的制备方法,其特征在于,包括在衬底上制作有源层的工序,所述有源层是通过气体喷印工艺将有机半导体化合物喷印到接收层上形成的;其中,所述气体喷印工艺的步骤包括:S1、对有机半导体化合物进行加热使之升华成气雾;S2、将所述气雾喷射到接收层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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