[发明专利]半导体存储器设备、存储器系统及其制造方法在审
| 申请号： | 201310041358.4 | 申请日： | 2013-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN103681683A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 朴仙美 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 许伟群;郭放 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体存储器设备、一种具有该半导体存储器设备的存储器系统以及一种制造该半导体存储器设备的方法。所述半导体存储器设备包括：从衬底的表面突出的垂直通道层；围绕所述垂直通道层的隧道绝缘层和电荷存储层；围绕所述电荷存储层的阻挡层；沿所述阻挡层堆叠的层间绝缘层；以及，插在所述层间绝缘层之间的导电层。所述阻挡层包括金属氧化物层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 设备 系统 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器设备，包括：从衬底的表面突出的垂直通道层；围绕所述垂直通道层的隧道绝缘层和电荷存储层；围绕所述电荷存储层的阻挡层；沿所述阻挡层堆叠的层间绝缘层；以及插在所述层间绝缘层之间的导电层；其中，所述阻挡层包括金属氧化物层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
