[发明专利]绝缘体上硅射频器件及其制造方法

摘要

一种绝缘体上硅射频器件，包括：硅基衬底；埋氧层，所述埋氧层设置在所述硅基衬底上；器件层，设置在所述埋氧层之异于所述硅基衬底一侧，所述器件层并具有器件区和用于器件隔离的浅沟槽隔离；第一介质层，所述第一介质层覆盖所述器件层；第二介质层，所述第二介质层设置在所述第一介质层之异于所述器件层一侧；以及深埋沟道，所述深埋沟道贯穿设置于所述埋氧层、器件层和第一介质层，并介于所述器件层的浅沟槽隔离之间。本发明所述绝缘体上硅射频器件改善信号传输特性，避免了信号失真，且所述绝缘体上硅射频器件的制造方法简便，成本低，工艺局限性小。

主权项

一种绝缘体上硅射频器件，其特征在于，所述绝缘体上硅射频器件包括：硅基衬底，所述硅基衬底用于支撑所述绝缘体上硅射频器件；埋氧层，所述埋氧层设置在所述硅基衬底上；器件层，所述器件层为硅层，设置在所述埋氧层之异于所述硅基衬底一侧，所述器件层并具有器件区和用于器件隔离的浅沟槽隔离；第一介质层，所述第一介质层覆盖所述器件层；第二介质层，所述第二介质层设置在所述第一介质层之异于所述器件层一侧；以及，深埋沟道，所述深埋沟道贯穿设置于所述埋氧层、器件层和第一介质层，并介于所述器件层的浅沟槽隔离之间。