[发明专利]具有低衬底漏电的绝缘栅双极型晶体管结构有效
| 申请号： | 201310041931.1 | 申请日： | 2013-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN103247684A | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 霍克孝;郑志昌;苏如意;叶人豪;杨富智;蔡俊琳 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高压金属氧化物半导体横向扩散器件(HV LDMOS)，尤其是绝缘栅双极结型晶体管(IBGT)，以及其制造方法。该器件包括半导体衬底、形成在衬底上的栅极结构、形成在衬底内栅极结构的两侧的源极和漏极，形成在衬底内的第一掺杂阱以及形成在第一阱内的第二掺杂阱。栅极、源极、第二掺杂阱和第一阱的一部分以及漏极结构的一部分被在硅衬底中的深沟槽隔离部件和注氧层包围。本发明还公开了具有低衬底漏电的绝缘栅双极型晶体管结构。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 衬底 漏电 绝缘 栅双极型 晶体管 结构 | ||
【主权项】：
一种高压半导体晶体管，包括：具有第一导电类型的轻掺杂半导体衬底，其中所述轻掺杂半导体衬底的一部分包括位于所述轻掺杂半导体衬底的顶面之下的注氧层；具有第二导电类型的第一阱区，所述第一阱区形成在所述轻掺杂半导体衬底上方；在所述第一阱区中并且具有所述第一导电类型的第二阱区；在所述第一阱区上方并且部分嵌入所述第一阱区内的绝缘结构，所述绝缘结构不接触所述第二阱区；在所述第一阱区上方靠近所述绝缘结构的栅极结构；在所述第一阱区中位于从所述栅极结构横跨所述绝缘结构的位置处的漏极区，所述漏极区包括邻接所述绝缘结构的第一漏极部分和远离所述绝缘结构的第二漏极部分；在所述第二阱区中的源极区，所述源极区设置在所述栅极结构与所述漏极区相对的一侧；以及在所述第一阱区中的深沟槽隔离部件，所述深沟槽隔离部件包围所述第二阱区、所述绝缘结构、所述栅极结构、所述源极区和所述第一漏极部分，其中所述深沟槽隔离部件接触所述注氧层。
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