[发明专利]成膜装置有效
申请号: | 201310042555.8 | 申请日: | 2013-02-01 |
公开(公告)号: | CN103243314A | 公开(公告)日: | 2013-08-14 |
发明(设计)人: | 加藤寿;三浦繁博 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/505 | 分类号: | C23C16/505;C23C16/455;H05H1/46;H01L21/31 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种成膜装置,该成膜装置包括:旋转台;第1处理气体供给部,其用于向第1处理区域供给第1处理气体;第1等离子体处理部,其用于在第2处理区域中对基板进行等离子体处理;分离气体供给部,其用于向形成于第1处理区域和第2处理区域之间的分离区域供给分离气体,以便使第1处理区域的气氛气体和第2处理区域的气氛气体分离,第1等离子体处理部包括:第1围绕部分,其用于划分形成用于使等离子体产生的等离子体产生空间,在其下部形成有等离子体的喷出口;第2处理气体供给部,其用于向等离子体产生空间供给第2处理气体;活化部,其用于使等离子体产生空间的第2处理气体活化;第2围绕部分,其设在第1围绕部分的下方。 | ||
搜索关键词: | 装置 | ||
【主权项】:
一种成膜装置,该成膜装置是通过在真空容器内多次进行将彼此反应的多种处理气体依次供给的循环来层叠反应生成物而在基板上形成薄膜的成膜装置,其中,该成膜装置包括:旋转台,其设于上述真空容器内,在其一表面侧形成有用于载置基板的基板载置区域,其用于使该基板载置区域旋转;第1处理气体供给部,其用于向第1处理区域供给第1处理气体;第1等离子体处理部,其用于在第2处理区域中对基板进行等离子体处理;分离气体供给部,其用于向形成于上述第1处理区域和第2处理区域之间的分离区域供给分离气体,以便使上述第1处理区域的气氛气体和第2处理区域的气氛气体分离;排气口,其用于对上述真空容器内的气氛气体进行真空排气,上述第1等离子体处理部包括:第1围绕部分,其划分形成用于使等离子体产生的等离子体产生空间,在其下部形成有等离子体的喷出口;第2处理气体供给部,其用于向上述等离子体产生空间供给第2处理气体;活化部,其用于使上述等离子体产生空间的上述第2处理气体活化;第2围绕部分,其设在上述第1围绕部分的下方,用于形成引导空间,该引导空间从上述旋转台的中心部侧延伸到外缘部侧,该引导空间将从上述喷出口喷出的等离子体向上述旋转台的一表面侧引导。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的