[发明专利]光敏电阻有效
| 申请号： | 201310042597.1 | 申请日： | 2013-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN103972322A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 刘军库;李关红;李群庆;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/08 | 分类号： | H01L31/08;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种光敏电阻，其包括一第一电极层、一光敏材料层以及一第二电极层，所述第一电极层、光敏材料层和第二电极层层叠设置，构成一三明治结构，所述第一电极层和第二电极层分别设置于所述光敏材料层相对的两个表面上，且分别与所述光敏材料层电接触，所述第一电极层包括一第一碳纳米管薄膜结构。该光敏电阻进一步包括一第一引出电极以及一第二引出电极，分别与所述第一电极层和第二电极层电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 光敏 电阻 | ||
【主权项】：
一种光敏电阻，其特征在于，所述光敏电阻包括一第一电极层、一光敏材料层及一第二电极层，所述第一电极层、光敏材料层和第二电极层层叠设置，构成一三明治结构，所述第一电极层和第二电极层分别设置于所述光敏材料层相对的两个表面上，且分别与所述光敏材料层电接触，所述第一电极层包括一第一碳纳米管薄膜结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
