[发明专利]测定污染高纯硅的污染材料中杂质的量的方法和用于处理高纯硅的炉子有效
| 申请号： | 201310042914.X | 申请日： | 2009-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN103149326A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | D·德彼萨;J·霍斯特;T·霍索德;A·瑞特莱维斯基 | 申请（专利权）人： | 赫姆洛克半导体公司 |
| 主分类号： | G01N33/00 | 分类号： | G01N33/00;G01N33/38 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 任永利 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 测定污染高纯硅的污染材料中杂质的量的方法，包括在污染材料中部分地包埋高纯硅的样品的步骤。将包埋在污染材料中的样品在炉子内加热。测定在加热步骤之后高纯硅的杂质含量与在加热步骤之前高纯硅的杂质含量相比的变化。用于热处理高纯硅的炉子，包含限定加热室的外壳。所述外壳至少部分地由低污染物材料形成，所述低污染物材料在于退火温度下加热历时足以使高纯硅退火的时间期间内对高纯硅贡献小于400份每万亿份的杂质，且所述炉子在相同加热条件下对高纯硅贡献平均小于400份每万亿份的杂质。 | ||
| 搜索关键词： | 测定 污染 高纯 材料 杂质 方法 用于 处理 炉子 | ||
【主权项】：
测定污染高纯硅的包括杂质在内的污染材料中杂质的量的方法，所述方法包括以下步骤：任选地，测定所述污染材料的杂质含量；任选地，测定所述高纯硅的杂质含量；提供所述污染材料；在所述污染材料中至少部分地包埋所述高纯硅的样品；在炉子内加热至少部分地包埋在所述污染材料中的所述样品；和测定在加热至少部分地包埋在所述污染材料中的所述样品的步骤之后所述高纯硅的杂质含量与在所述加热步骤之前所述高纯硅的杂质含量相比的变化。
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