[发明专利]插塞的形成方法

摘要

本发明提出一种插塞的形成方法，首先对器件区和第一介质层进行第一步刻蚀以形成第一连接孔并填充形成第一插塞，再形成阻挡层和第二介质层，接着对第二介质层进行第二步刻蚀以形成第二连接孔，接着对第二介质层和阻挡层进行第三步刻蚀以形成第三连接孔并填充形成第三插塞；分步刻蚀能够降低每次刻蚀工艺形成的连接孔的深宽比，从而降低对刻蚀工艺的要求，使刻蚀工艺得到更好的控制，从而形成形貌较好的插塞。

主权项

一种插塞的形成方法，其步骤包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极和金属线，所述栅极两侧的半导体衬底中形成有源极和漏极；在所述半导体衬底上以及所述栅极和金属线的表面形成第一介质层；进行第一步刻蚀形成第一连接孔，所述第一连接孔暴露出所述源极和漏极；在所述第一连接孔中形成第一插塞；在所述第一介质层以及第一插塞上形成第二介质层；进行第二步刻蚀形成第二连接孔，所述第二连接孔暴露出所述第一介质层；在所述第二连接孔处进行第三步刻蚀形成第三连接孔，所述第三连接孔完全容纳所述第二连接孔，所述第三连接孔暴露出所述金属线、栅极以及第一插塞；在所述第三连接孔中形成第二插塞。