[发明专利]增强灌电流并驱动电容负载的CMOS放大器无效
| 申请号： | 201310045539.4 | 申请日： | 2013-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN103166584A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 包兴坤 | 申请（专利权）人： | 苏州硅智源微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/45 | 分类号： | H03F3/45;H03K19/0185 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215122 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种增强灌电流并驱动电容负载的CMOS放大器，其中第一个射极跟随器双极晶体管连接到放大器的输出级，电路通过补偿此双极晶体管的基极-发射极电压VBE以增强放大器输出级的稳定性。第二个射极跟随器晶体管和第一个射极跟随器晶体管一起驱动一个差分放大器，而这个差分放大器的输出端控制着连接到放大器输出端的一个MOS晶体管的电导。另一个MOS晶体管与第二个射极跟随器晶体管串联，并且其栅极连接到差分放大器的输出端，一个增加的灌电流导致通过第二个射极跟随器晶体管的电流和其VBE的增加，从而导致第一个射极跟随器晶体管VBE的增加。 | ||
| 搜索关键词： | 增强 电流 驱动 电容 负载 cmos 放大器 | ||
【主权项】：
一种增强灌电流并驱动电容负载的CMOS放大器，其特征是：第一和第二个双极晶体管的集电极连接到第一个电压，它们的基极相连以接收输入信号；一个差分放大电路有第一和第二个输入、一个输出；上述第一个双极晶体管的发射极连接到差分放大电路的一个输入，第二个双极晶体管的的发射极连接到另一个输入；第一个MOS晶体管有源极、栅极和漏极，其中漏极连接到上述第二个双极晶体管的发射极，源极连接到第二个电压，栅极连接到上述差分放大器的输出；第一个固定的电流源连接在上述第一个双极晶体管的发射极和第二个电压之间；第二个MOS晶体管有源极、栅极和漏极，其中漏极连接到上述第一个双极晶体管的发射极，源极连接到第二个电压，从而第二个MOS晶体管与上述第一个固定的电流源并联，第二个MOS晶体管的栅极连接到上述差分放大器的输出，上述第一个双极晶体管的基极‑发射极电压随着通过第一个MOS晶体管电流的增加而增加，由于一个增加的灌电流，上述第二个双极晶体管VBE的减小得到抵消。
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