[发明专利]一种多路阀门驱动的VMOS混膜集成芯片有效
| 申请号： | 201310045805.3 | 申请日： | 2013-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN103151342A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 黄柳莺;范晓琳;张毅;李奕辉;王睿 | 申请（专利权）人： | 上海空间推进研究所 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L23/02 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 郭国中 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种多路阀门驱动的VMOS混膜集成芯片，其包括多组功率开关，每一组功率开关作为一路阀门的输出，所述功率开关包括第一功率MOS管V1、第二功率MOS管V2、第三功率MOS管V3、第四功率MOS管V4，V1和V2串联而成的左桥臂作为第一上下桥臂驱动端，V3和V4串联而成的右桥臂作为第二上下桥臂驱动端，所述左桥臂与右桥臂并联。本发明实现了单芯片的多路阀门驱动和整器的减重减小体积的要求求，减少了板极线的内部互连，精简了板级布线设计并且芯片简洁可靠，该芯片将在航天领域具有重大的意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阀门 驱动 vmos 集成 芯片 | ||
【主权项】：
一种多路阀门驱动的VMOS混膜集成芯片，其特征在于，其包括多组功率开关，每一组功率开关作为一路阀门的输出，其中：所述功率开关包括第一功率MOS管V1、第二功率MOS管V2、第三功率MOS管V3、第四功率MOS管V4，所述第一功率MOS管V1和第二功率MOS管V2串联而成的左桥臂作为第一上下桥臂驱动端，所述第三功率MOS管V3和第四功率MOS管V4串联而成的右桥臂作为第二上下桥臂驱动端，所述左桥臂与右桥臂并联。
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