[发明专利]ITO薄膜溅射工艺方法及ITO薄膜溅射设备有效
| 申请号： | 201310045824.6 | 申请日： | 2013-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN103966557A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 耿波;叶华;文利辉;杨玉杰;夏威;王厚工;丁培军 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/08 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 宋合成;黄德海 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种ITO薄膜溅射工艺方法及ITO薄膜溅射设备。所述方法包括以下步骤：在向反应腔内通入工艺气体之前，控制直流溅射电源的输出电压为预定电压，并通过直流溅射电源对靶材施加预定功率；在预定时间之后向反应腔内通入工艺气体，以使工艺气体在反应腔内启辉；在启辉之后，通过直流溅射电源对靶材施加溅射功率以进行溅射，溅射功率大于等于所述预定功率且小于等于所述溅射电源的额定功率。本发明的ITO薄膜溅射工艺方法，能够大幅减小启辉电压，减小启辉瞬间粒子能量过高对GaN层的轰击，有效的减小对GaN层的损伤。而且，由于不需要增加新的机构，增加了稳定性，同时方便工艺进行调整，薄膜沉积均匀性提高。 | ||
| 搜索关键词： | ito 薄膜 溅射 工艺 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种ITO薄膜溅射工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：1）在向反应腔内通入工艺气体之前，控制直流溅射电源的输出电压为预定电压，并通过所述直流溅射电源对靶材施加预定功率；2）在预定时间之后向所述反应腔内通入工艺气体，以使所述工艺气体在所述反应腔内启辉；和3）在所述启辉之后，通过所述直流溅射电源对所述靶材施加溅射功率以进行溅射，所述溅射功率大于等于所述预定功率且小于等于所述溅射电源的额定功率。
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