[发明专利]导电膜及其制造方法有效
| 申请号： | 201310045883.3 | 申请日： | 2013-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN103456390A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 周菲;张晟;高育龙 | 申请（专利权）人： | 南昌欧菲光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;H01B13/00;H01B1/02;G06F3/041 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 330000 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 一种导电膜，包括透明绝缘衬底和形成于所述透明绝缘衬底上的导电网格，通过模具压印的方式在透明绝缘衬底表面压印出网格状凹槽，简单快捷、效率高；通过在凹槽中填充金属溶液，并烧结形成导电网格，成本低；所述导电网格的网格线间距为d1、且100μm≤d1＜600μm；导电网格方块电阻为R、且0.1Ω/sq≤R＜200Ω/sq。减小网格线间距须将网格线宽度减小，从而提高导电膜的透光性能；方块电阻越小，导电膜的导电性能越好，电信号的传输速度越快；较低的金属含量保证了较小的方块电阻，同时也节省了原材料。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种导电膜，其特征在于，包括透明绝缘衬底和形成于所述透明绝缘衬底上的导电网格，所述导电网格的网格线间距为d1、且100μm≤d1＜600μm；导电网格方块电阻为R、且0.1Ω/sq≤R＜200Ω/sq。
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