[发明专利]半导体存储器件有效

专利信息
申请号: 201310045952.0 申请日: 2013-02-05
公开(公告)号: CN103632710B 公开(公告)日: 2018-01-02
发明(设计)人: 梁仁坤;安圣薰 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: G11C11/4063 分类号: G11C11/4063;G11C11/413;G11C29/42
代理公司: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 代理人: 俞波,石卓琼
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种半导体存储器件,所述半导体存储器件包括电流镜,所述电流镜被配置成包括用于将第一线的电流镜像到第二线的电流镜部和并联耦接的晶体管;检测器,所述检测器被配置成基于感测节点的电压来控制第一线的电压;失败比特设定部,所述失败比特设定部被配置成控制第二线的电压;以及比较器,所述比较器被配置成将第一线的电压与第二线的电压进行比较,并且基于比较结果产生通过和失败检查信号。
搜索关键词: 半导体 存储 器件
【主权项】:
一种半导体存储器件,包括:电流镜,所述电流镜包括电流镜部和晶体管,所述电流镜部被配置成将流经第一线的电流镜像到第二线,所述晶体管并联耦接在所述电流镜部与电源节点之间;检测器,所述检测器经由所述第一线与所述电流镜耦接,并且被配置成基于感测节点的电压来控制所述第一线的电压;失败比特设定部,所述失败比特设定部被配置成响应于比特设定信号而控制所述第二线的电压;比较器,所述比较器被配置成将所述第一线的电压与所述第二线的电压进行比较,并且基于比较结果产生通过和失败检查信号;以及控制逻辑,所述控制逻辑被配置成导通或关断所述晶体管。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司,未经爱思开海力士有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310045952.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top