[发明专利]半导体存储器件有效
申请号: | 201310045952.0 | 申请日: | 2013-02-05 |
公开(公告)号: | CN103632710B | 公开(公告)日: | 2018-01-02 |
发明(设计)人: | 梁仁坤;安圣薰 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C11/4063 | 分类号: | G11C11/4063;G11C11/413;G11C29/42 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 | 代理人: | 俞波,石卓琼 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明公开了一种半导体存储器件,所述半导体存储器件包括电流镜,所述电流镜被配置成包括用于将第一线的电流镜像到第二线的电流镜部和并联耦接的晶体管;检测器,所述检测器被配置成基于感测节点的电压来控制第一线的电压;失败比特设定部,所述失败比特设定部被配置成控制第二线的电压;以及比较器,所述比较器被配置成将第一线的电压与第二线的电压进行比较,并且基于比较结果产生通过和失败检查信号。 | ||
搜索关键词: | 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】:
一种半导体存储器件,包括:电流镜,所述电流镜包括电流镜部和晶体管,所述电流镜部被配置成将流经第一线的电流镜像到第二线,所述晶体管并联耦接在所述电流镜部与电源节点之间;检测器,所述检测器经由所述第一线与所述电流镜耦接,并且被配置成基于感测节点的电压来控制所述第一线的电压;失败比特设定部,所述失败比特设定部被配置成响应于比特设定信号而控制所述第二线的电压;比较器,所述比较器被配置成将所述第一线的电压与所述第二线的电压进行比较,并且基于比较结果产生通过和失败检查信号;以及控制逻辑,所述控制逻辑被配置成导通或关断所述晶体管。
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