[发明专利]一种在硅基底刻蚀通孔的方法在审
| 申请号： | 201310046733.4 | 申请日： | 2013-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN103972155A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 许颂临 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在硅基底刻蚀通孔的方法，所述方法利用光刻胶作为掩膜替代了现有技术中的硬掩膜，避免了多个掩膜层间的图形转移可能会造成关键尺寸的变化，简化了刻蚀工艺，节省了成本，同时为了保证采用光刻胶作为掩膜与硅基底有足够的选择比，本发明采用CO和/或CO2代替易与光刻胶发生反应的氧气为沉积保护层的反应提供氧自由基。维持等离子体刻蚀室内的O2低于5%，以提高了光刻胶掩膜层和硅基底的选择比，同时CO和/或CO2解离出的C自由基等粒子在光刻胶表面形成一层保护层，防止氧自由基与光刻胶发生反应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基底 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种在硅基底刻蚀通孔的方法，所述硅基底表面涂覆有光刻胶掩膜层，所述的刻蚀方法在等离子体刻蚀室内进行，其特征在于：所述方法包括下列步骤：提供含氟的第一气体到等离子体刻蚀室内，所述第一气体用于对硅基底进行刻蚀；提供含硅的第二气体到等离子体刻蚀室内，所述的第二气体还包括碳氧化合物，所述第二气体中O2含量小于5%。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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