[发明专利]压阻式高频动态土应力传感器及制备方法有效
申请号: | 201310046809.3 | 申请日: | 2013-02-06 |
公开(公告)号: | CN103175639A | 公开(公告)日: | 2013-06-26 |
发明(设计)人: | 沈娇艳;唐运海;程新利;王冰;秦长发;潘涛;王文襄 | 申请(专利权)人: | 苏州科技学院;昆山双桥传感器测控技术有限公司 |
主分类号: | G01L1/18 | 分类号: | G01L1/18 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 范晴 |
地址: | 215009 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种压阻式高频动态土应力传感器及制备方法,传感器包括传感器壳体(7)、应力敏感组件、信号调理放大电路(11)和引出电缆(13),所述应力敏感组件包括基底(1)—绝缘隔离层(2)—应变电阻(3)—绝缘保护层(5)构成的结构;且所述应力敏感组件通过高硼硅玻璃(6)封接于传感器壳体(7)前端的固支台阶(18)。本发明的传感器敏感组件集成有应变电阻(3)和调整电阻(19),有效减小体积,简化了加工工艺,降低制作成本,容易实现大批量生产,提高了产品性价比和市场竞争力。 | ||
搜索关键词: | 压阻式 高频 动态 应力 传感器 制备 方法 | ||
【主权项】:
压阻式高频动态土应力传感器,包括传感器壳体(7)、应力敏感组件、信号调理放大电路(11)和引出电缆(13),其特征在于,所述应力敏感组件包括基底(1)—绝缘隔离层(2)—应变电阻(3)—绝缘保护层(5)构成的结构;且所述应力敏感组件通过高硼硅玻璃(6)封接于传感器壳体(7)前端的固支台阶(18)。
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