[发明专利]太阳能电池及其制造方法

摘要

提供一种太阳能电池及其制造方法，该方法包括以下的步骤在n型半导体基板的第二主表面之上形成SiNx膜；在SiNx膜形成步骤之后在n型半导体基板的第一主表面之上形成p型扩散层；和在p型扩散层之上形成SiO2膜或氧化铝膜构成。

主权项

一种制造太阳能电池的方法，包括以下按照记载顺序的步骤：在单晶n型硅基板的后表面之上形成具有150‑250nm厚度的SiNx膜；在SiNx膜形成步骤之后在所述n型硅基板的受光表面上形成纹理；在纹理形成步骤之后在所述n型硅基板的受光表面之上形成p型扩散层；通过热氧化法在所述p型扩散层之上形成由SiO2膜构成的第二钝化膜；以及在所述基板的受光表面侧上和后表面侧上形成电流抽取电极，其中形成电流抽取电极的步骤包括：在所述基板的后表面侧的所述SiNx膜上印刷导电糊剂的步骤，以及焙烧所述糊剂以烧结所述导电糊剂并导致它烧过所述SiNx膜而在所述电流抽取电极与所述基板之间进行电接触的步骤，其中所述SiNx膜在所述纹理的形成期间充当处理掩模，在所述p型扩散层的形成期间充当扩散掩模，在所述SiO2膜的形成期间充当氧化掩模，且充当在太阳能电池的所述基板的所述后表面上的第一钝化膜。