[发明专利]用于页复制操作的可纠错的非易失性存储器及其方法有效
| 申请号： | 201310047282.6 | 申请日： | 2004-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN103136068B | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 李真烨 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G06F11/10 | 分类号： | G06F11/10;G11C16/10;G11C16/26 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 张泓 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种在页复制操作过程中具有错误检测和校正功能的NAND闪存。该NAND闪存可以防止从源页转录错误位到一个复制页。本发明闪存的实施例包括一个用于校正存储在页缓冲器中源数据的位错误的校正电路，一个配置得适于提供源数据到校正电路以及提供校正数据到页缓冲器的电路，和一个配置得适于复制源数据到页缓冲器、并将校正数据从页缓冲器存储到另一个页的复制电路。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 复制 操作 纠错 非易失性存储器 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种存储器系统，包括：存储单元阵列，存储多页数据；页缓冲器，锁存并输出从存储单元阵列的第一位置读取的源页，经由编程过程将经错误处理后的页写入存储单元阵列的第二位置；以及错误校正电路，检测或校正通过输入/输出线从页缓冲器输出的源页的错误，并转移回页缓冲器作为经错误处理后的页，其中，该错误校正电路包括：校验位产生器，在复制过程中由源页产生新校验位；比较器，比较旧检验位和新校验位，并产生涉及累进位错误的地址信息信号；和错误校正逻辑电路，修改累进位错误，其中，该源页包括旧校验位。
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