[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本公开涉及半导体器件及其制造方法。用于诸如DC/DC转换器的电源电路的传统半导体器件具有热耗散和尺寸缩小的问题，特别是在尺寸缩小的情况下具有热耗散及其它问题。本公开提供一种半导体器件，其具有通过如下处理形成的结构用具有梳齿形的多个金属板导线覆盖半导体芯片的主表面，该半导体芯片具有该主表面和形成于该主表面上的多个MIS型FET；在该主表面上在平面图中交替分布梳齿部分；以及进一步将多个金属板导线电耦接到多个端子。

主权项

一种半导体器件，包括半导体芯片和多个金属板导线，所述半导体芯片具有主表面和形成于所述主表面上的多个MIS型FET，所述多个金属板导线中的每一个具有梳齿形，被形成为覆盖所述主表面，其中所述多个金属板导线覆盖所述主表面使得梳齿部分可以在平面图中交替分布；并且所述多个金属板导线电耦接到位于所述半导体芯片外部的多个端子，其中所述多个金属板导线包括第一金属板导线、第二金属板导线和第三金属板导线；所述多个端子包括输入端子、输出端子和接地端子；分别地，所述第一金属板导线电耦接到所述输入端子，所述第二金属板导线电耦接到所述输出端子，且所述第三金属板导线电耦接到所述接地端子；并且所述输入端子、所述输出端子和所述接地端子分别位于所述半导体芯片的外部，其中所述半导体器件具有在平面图中为条形的源极焊盘和漏极焊盘，所述源极焊盘和漏极焊盘位于所述半导体芯片的所述主表面上的梳齿形的所述第一、第二和第三金属板导线的下方，在与所述第一、第二和第三金属板导线相交的方向上延伸，并电耦接到所述第一、第二和第三金属板导线，其中所述源极焊盘和所述漏极焊盘在平面图中交替分布于所述半导体芯片的所述主表面上，其中所述多个MIS型FET包括第一MIS型FET和第二MIS型FET；所述第一MIS型FET形成于所述主表面的第一区域中，所述第二MIS型FET形成于所述主表面的第二区域中；并且所述源极焊盘和所述漏极焊盘分别分布于所述主表面的所述第一区域上和所述主表面的不同于所述第一区域的所述第二区域上，其中所述第一和第二MIS型FET是水平MIS晶体管；位于所述第一区域上的所述源极焊盘和所述漏极焊盘分别电耦接到所述第一MIS型FET；并且位于所述第二区域上的所述源极焊盘和所述漏极焊盘分别电耦接到所述第二MIS型FET，其中所述半导体器件具有用于覆盖所述半导体芯片、所述源极焊盘和所述漏极焊盘、所述第一、第二和第三金属板导线、所述输入端子、所述输出端子以及所述接地端子的包装树脂；并且所述输入端子、所述输出端子和所述接地端子的相应部分从所述包装树脂暴露，并且其中所述半导体器件具有散热器，所述散热器耦接到所述半导体芯片的所述主表面的另一侧上的另一主表面。