[发明专利]电子束描绘装置及电子束描绘方法有效

专利信息
申请号: 201310047452.0 申请日: 2013-02-06
公开(公告)号: CN103257528A 公开(公告)日: 2013-08-21
发明(设计)人: 东矢高尚;中山贵仁 申请(专利权)人: 纽富来科技股份有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;H01J37/317;B82Y10/00
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 徐冰冰;刘杰
地址: 日本日*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种电子束描绘装置及电子束描绘方法,该电子束描绘装置(100)具有:XY载物台(105),载放试样(216);以及电子镜筒(102),配置有出射电子束(200)的电子枪(201)和具备排列在电子束(200)的轴向上的电极的透镜(202、204、207、210)。在XY载物台(105)和电子镜筒(102)之间设置有屏蔽板(211),该屏蔽板(211)屏蔽电子束(200)向试样(216)照射而产生的反射电子或二次电子。在屏蔽板(211)的正上方配置有改变电子束(200)的焦点位置的静电透镜(210),始终从电压供给单元(135)对静电透镜(210)施加正电压。
搜索关键词: 电子束 描绘 装置 方法
【主权项】:
一种电子束描绘装置,其特征在于,具有:载物台,载放试样;电子镜筒,配置有出射电子束的电子枪和具备排列在所述电子束的轴向上的电极的静电透镜;以及电压供给单元,始终对所述静电透镜施加正电压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于纽富来科技股份有限公司,未经纽富来科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310047452.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top